סמסונג הכריזה על סוג חדש של זיכרון NAND. מדובר בזיכרון בו התאים מאוחסנים באופן ורטיקאלי.
בזיכרונות ה-NAND הרגילים הרכיבים משובצים זה לצד זה. עם הזיכרון החדש, ששמו V-NAND, ניתן לספק על שטח קטן יחסית כמות גדולה בהרבה של זיכרון. עם היכולת הזו ייתכן ונראה בשנה הבאה טלפונים חכמים וטאבלטים שמוצעים עם זיכרון אחסון של 128 ג'יגה-בייט ומעלה. לפי החברה, ניתן יהיה גם להגיע לזיכרון אחסון של 1 טרה-בייט.
נפח אחסון פנימי גדול כזה יכול להוביל לויתור על הצורך להשתמש בכרטיסי זיכרון לצורך הרחבת זיכרון. טלפונים וטאבלטים כיום מגיעים בדרך כלל בגרסאות של 16 ו-32 ג'יגה-בייט נפח אחסון בלבד, כך שקפיצת הדרך האפשרית משמעותית ביותר.
בסמסונג מספרים שהושקעו ב-V-NAND לא פחות מ-10 שנות מחקר, ושמאחוריו רשומים לא פחות מ-300 פטנטים. היא מייעדת אותו לשימוש במוצרים צרכניים וארגוניים כאחד, כולל בכונני SSD.
מעבר לנפח המוגדל והאפשרות להשתמש בפחות סיליקון כדי להציע יותר זיכרון, לפי החברה הזיכרונות הללו יהיו גם מהירים יותר מפתרונות ה-NAND שמוצעים כיום, וזאת בזכות המבנה של הצבת תאי הזיכרון.
הזיכרונות החדשים אמורים להתחיל לצאת מפס הייצור בקרוב, ולפי סמסונג עוד לפני סוף 2013 יוצעו בשוק כונני SSD שמבוססים עליהם. לשוק הטלפונים החכמים והטאבלטים הם לא יגיעו כנראה לפני הרבעון השני של 2014.